想要让心得体会更具说服力，我们需要提供具体的例证，通过对心得体会的分析，我们能够发现潜在的改进空间与机会，以下是品读360小编精心为您推荐的有机心得体会7篇，供大家参考。
有机心得体会篇1
当然，我很乐意帮助您。以下是一篇关于大学有机实验的心得体会。
在大学期间，我有幸参与了一系列丰富多彩的有机实验。这些实验不仅仅是理论的验证，更是实践中的理解和创新。我从中收获了无数的知识和技能，也更加理解了有机化学反应的复杂性和重要性。
在实验中，我首次接触到了合成路线，这是我理解有机化学反应的一个重要方式。通过逐步追踪反应进程，我能够推断出反应的中间步骤，并清晰地看到整个合成的思路。这种理解不仅增强了我对理论知识的掌握，也开拓了我的问题解决能力。
在实验中，我也体验到了失败的味道。有时候，尽管我们已经尽力去调整和优化反应条件，但结果仍然不尽如人意。面对失败，我并没有沮丧，反而更加坚定了我的耐心和毅力。我学会了从失败中学习，从错误中吸取教训，这也是我在大学有机实验中最宝贵的收获。
在实验中，我也有机会使用了一些先进的仪器设备，如高效液相色谱、质谱等。这些设备的使用不仅提高了我们的实验效率，也让我有机会掌握一些先进的实验技术。
总的来说，大学有机实验给我带来了丰富的知识和技能，也让我更加深入地理解了有机化学。我期待在未来的学习和工作中，能够将这些知识和技能应用到实践中，为有机化学的研究和应用做出更大的贡献。
有机心得体会篇2
在未参加本次培训前我们学院曾试运行过双语实验教学，利用学院的第二课堂活动选一部分同学参加了此次活动，但是在备课时我发现了许多问题，如对于实验步骤具体操作的解释，如何对关键动词的解释使得学生弄懂明白他所要做的操作；而在上课时又发现，同学的英语水平不相同，对于同一个语句的理解程度不相同使得教学时间延长导致整个实验时间延长，整体效果很不好。
非常有幸参加了本次有机化学及实验的精品课培训，高占先教授对于双语有机实验的见解使我受益非线。
首先对于实验教材的理解。外文原版教材并不适合中国教学国情的.特点，而中国实验教材的外文翻译是仁者见仁，智者见智的。并且目前为止这类教材并不是很多，如何选择一本适合中国国情的并且语言符合英文语言特点而不是中国式的英文实验书很重要。毕竟学生要弄懂了实验才能做实验这是不能模棱两可的，所以也非常期待大连理工大学的双语实验书。
其次是对实验教师的要求，教师的作用是传授知识授业解惑的，无论是中文还是英文。这就要求教师首先他的英文水平是较高的，可以用多种方法解释同一种操作。这也正是要求这名教师不但英文口语水平高更应该是他对英文单词的理解要好，能用浅显易懂的单词去解释复杂的专有名词，还能抓住不同语言的特点与精髓。这是对工作者的一个挑战。
最后是对学生的要求。教学不应该对学生有所要求，但对于双语教学，不是每一个学生都适合，所以不应该是大众化的，而是应该根据学生的一些初步情况去选择。这样既能让双语教学真正用起来真正起到它的作用而不是要牺牲一部分学生去达到这个目的。
大连理工大学的化学实验小组在这方面做了很多的贡献，通过与高教授的交流使我少走了不少弯路，也明确了这方面的发展方向，非常感谢全国高校教师网络培训中心组织的这一次有机实验的精品课程培训内容，也非常感谢高教授的精彩讲解。
有机心得体会篇3
半导体材料 semiconductor material
导电能力介于良导体（金属）与绝缘体之间的一类固体材料。室温下，其电导率为西/厘米（电阻率为欧·厘米）。
发展简史
早期研究工作可以追溯到1833年。m.法拉第在研究硫化银晶体的导电性质时，发现其电阻率随温度上升而下降（负的电阻温度系数），而金属则相反，随温度升高而增加。
硫化银矿石
1873年w.r.史密斯在对硒的研究中，观察到光照明引起硒电导率增加。
硒
1874年k.布劳恩发现，当硫化铅矿或黄铁矿与金属探针接触时，出现单向导电——整流现象。
黄铁矿
1876年w.e.亚当斯和r.e.戴在硒与金属探针接触中，观察到光生伏特效应。这些研究揭示了半导体材料的最基本性质。此后把具有这一类性质的物质称为半导体。
20世纪初，利用半导体的整流特性，制成无线电电磁波的检波器。这一发明使无线电接收机的灵敏度大大提高，并广泛应用在早期的广播技术中。后来，真空电子管的出现取代了半导体。
但到第二次世界大战期间，随着军事雷达技术的迅速发展，在甚高频率之下，没有其他器件能够有效地起到整流或混频作用。因此，半导体（锗、硅晶体等）检波器再次受到重视，促进了锗、硅材料提纯技术的发展。
1947年，j.巴丁和w.h.布拉坦发明了点接触锗晶体管。1949年w.b.肖克莱发表了关于pn结和双极结型晶体管的经典论著。晶体管的面世，对电子工业产生了无法估量的影响，从此开创了现代半导体科学技术的新纪元。
晶体管
1958年9月，j.s.基尔比制成第一块锗晶体管集成电路芯片。半年后，r.n.诺伊斯制成第一块硅晶体管集成电路芯片。
集成电路
1957年h.克勒默首先提出，采用异质结材料来提高发射极的效率，预言这种器件结构可望成为速度最快的半导体器件之一。1968年，z.i.阿尔费罗夫用固溶体材料gaalas制备出第一个双异质结激光器，实现了室温下脉冲激射，两年后又实现了室温下的连续波激射。
在半导体的发展历程中，晶体生长技术的不断创新，大大促进了材料科学的发展。
1950年g.k.蒂尔等采用丘克拉斯基法，首先拉制出锗单晶材料。
1952年w.普方发明了区域熔化提纯技术，使锗单晶达到了本征纯度，极大地改善了锗晶体管的性能。
锗单晶
1956年西门子公司研究成功三氯氢硅氢还原法制备多晶硅技术，使有害杂质含量降低到量级，为现代超大规模集成电路用硅单晶的生产奠定了基础。
多晶硅
1960年h.h.卢尔和h.克里斯坦森发明了化学气相淀积（cvd）外延技术。
1968年h.m.马纳塞维特等发明了金属有机化合物化学气相淀积（mocvd）技术。
1970年江崎玲於奈和朱兆祥从理论上提出了半导体超晶格材料的概念之后，卓以和与j.r.阿瑟发明了分子束外延（mbe）生长半导体超薄层材料的技术。
1972年张立纲等用mbe技术制备出（al，ga）as/gaas超晶格材料。这是自20世纪40年代末单晶材料和晶体管出现以来，半导体领域中的一个重大的进展。
性质
半导体材料是电阻率在欧·厘米、具有负的电阻温度系数的一类固体材料。此外，它的性质还有两个显著的特征：
①它的性质受杂质含量的影响极大。例如硅中只要含有浓度的硼原子，其电阻率会下降1000倍。所含杂质的种类不同，其导电类型也不同。因此，半导体材料必须首先进行提纯，去除各种有害杂质，然后再通过严格控制的掺杂技术，制备出合乎器件要求的材料。目前，对硅器件的典型掺杂水平，为每立方厘米中含有个掺杂原子，或者说每个硅原子中有一个杂质原子。
②外部条件（如温度、压力、光照以及磁场等）的改变会对它的性质有很大影响。例如升高温度，或者用光照射半导体，均可使电阻率下降。这就是可以利用半导体材料制备各种热敏、光敏、力敏等器件的根本原因。此外，半导体的表面、金属与半导体接触面以及不同半导体材料之间的界面等，都具有一系列特殊的物理性质，利用这些性质可制备出各种各样的器件。
按照固体的量子理论，半导体的这些性质，主要是来源于其电子与运动状态存在有能量“带
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